Статья

Мобильная СКУД или мобильный контроль доступа?

Технология мобильного доступа и мобильная СКУД – это разные вещи. Мобильный доступ подразумевает идентификацию пользователя при помощи смартфона или другого переносного устройства. Но применение мобильного устройства не решает задачу оперативного создания пункта пропуска на открытом пространстве.…

Читать полностью


Новые высокопроизводительные накопители Samsung

  • 23.07.2018
  • 156

Компания Tatris, на правах официального дистрибьютора Samsung Electronics Co., Ltd., объявил о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи данных в отрасли.

Новые 256Гб V-NAND модули флеш-памяти отличаются максимальной скоростью передачи данных в отрасли и впервые используют Toggle DDR 4.0 NAND интерфейс

Новые высокопроизводительные накопители Samsung

Благодаря Toggle DDR 4.0 интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 256-гигабитными (Гб) V-NAND модулями флеш-памяти Samsung достигла 1.4 гигабит в секунду (Гбит/сек.), что на 40% выше скорости 64-слойного предшественника.

Энергоэффективность новых V-NAND флеш-модулей Samsung по показателям близка к показателям 64-слойного чипа, что обусловлено снижением рабочего напряжения с 1,8 до 1.2 вольт. Кроме того, новые V-NAND модули отличаются минимальным временем записи данных, составляющим 500 микросекунд (μs), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. Также значительно сокращено время реакции на считывание сигнала – до 50 микросекунд (μs).

Новые высокопроизводительные накопители Samsung

V-NAND модули флеш-памяти Samsung пятого поколения включают 90 слоев ячеек (максимальное количество слоев в отрасли), изготовленных по технологии 3D charge trap flash (CTF). Ячейки сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров , в свою очередь, содержат более 85 миллиардов CTF ячеек, каждая из которых может хранить три бита данных. Эта инновационная технология производства модулей памяти является результатом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новых производственных процессов.

Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения (АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была увеличена более, чем на 30%. Эта технология позволила уменьшить высоту слоя в каждой ячейке на 20%, что обеспечила устранение перекрестных помех между ячейками и повысить эффективность обработки данных ячейки.

"Пятое поколение V-NAND модулей памяти Samsung и решений на их основе позволит предложить быстро растущему премиум сегменту мирового рынка наиболее совершенные микросхемы NAND памяти. Кроме выдающихся достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные (Tб) и четырехуровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти следующего поколения", – говорит Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флеш-памяти и технологии Samsung Electronics.

Учитывая растущие требования рынка, компания Samsung планирует быстро увеличить массовое производство V-NAND модулей памяти пятого поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с высокой плотностью записи, используемых в таких критически важных сферах, как производство суперкомпьютеров, промышленных серверов и премиальных смартфонов.

Получить более подробную информацию о новых накопителях Samsung и оформить заказ можно связавшись со специалистами компании Tatris по e-mail: info@tatris.ru или по телефону +7 800 100-7-001.

Поделиться:

  • ТекстПресс-релизы
Отправить

Ваше сообщение появится после проверки его модератором сайта Techportal.ru

События

© 2003-2018 Techportal.ru

Яндекс.Метрика
Метрика cайта:
новости: 6717 | компании: 513 | бренды: 406 | статьи:  

Политика конфиденциальности и защиты информации